Переход высших типов волн через соответствующие им частоты среза, не приводит, в отличие от волн  и
 и  , к резким изменениям в поведении электромагнитного поля вблизи отверстия связи, поэтому модуль импеданса Z ведет себя достаточно плавно, не опускаясь ниже 660 Ом в двукратной полосе частот. Установлено также, что основной вклад в формирование поля вносит только основная волноводная волна и ближайшая к ней, в то время как вклад других волн (в том числе закритических) пренебрежимо мал.
, к резким изменениям в поведении электромагнитного поля вблизи отверстия связи, поэтому модуль импеданса Z ведет себя достаточно плавно, не опускаясь ниже 660 Ом в двукратной полосе частот. Установлено также, что основной вклад в формирование поля вносит только основная волноводная волна и ближайшая к ней, в то время как вклад других волн (в том числе закритических) пренебрежимо мал.
На рис.3б показано рассчитанное на ПЭВМ поведение действительной и мнимой частей входного сопротивления ЛИ АР, расположенного на расстоянии 0.125 от волновода с указанными выше размерами. Расчет выполнен при условии, что импеданс Z распределен равномерно по периоду решетки и имеет переменную по частоте величину (рис.3а), по формулам работы [1], в которых
 от волновода с указанными выше размерами. Расчет выполнен при условии, что импеданс Z распределен равномерно по периоду решетки и имеет переменную по частоте величину (рис.3а), по формулам работы [1], в которых  = 0,
 = 0,  .  Излучатель имеет длину l =
.  Излучатель имеет длину l =  = 0.2
 = 0.2 , ширину 0.045
, ширину 0.045 и возбуждается
 и возбуждается  −генератором. Решетка сфазирована в направлении нормали. Из рисунка следует, что в полосе частот с перекрытием 1.7 излучатель может быть хорошо согласован с фидерной линией.
−генератором. Решетка сфазирована в направлении нормали. Из рисунка следует, что в полосе частот с перекрытием 1.7 излучатель может быть хорошо согласован с фидерной линией.
Как показал численный эксперимент, использование более одного волновода в периоде АР не позволяет существенно улучшить поведение импеданса Z.
С целью выяснения предельных возможностей докритического волновода в получении требуемого поверхностного импеданса, была проведена оптимизация волноводной решетки. В качестве параметров оптимизации использовались: диэлектрическая проницаемость  волновода и его размеры a, b и диэлектрическая проницаемость
 волновода и его размеры a, b и диэлектрическая проницаемость  и толщина t диэлектрического покрытия. При этом
 и толщина t диэлектрического покрытия. При этом  = t, а все магнитные проницаемости выбирались равными единице. В качестве целевой взята функция
 = t, а все магнитные проницаемости выбирались равными единице. В качестве целевой взята функция
|  | (4) | 
для минимизации которой был использован метод локальных вариаций [4]. В выражении (4)  — частота в i-той точке диапазона,
 — частота в i-той точке диапазона,  — требуемая величина импеданса,  x = y = 0. Для двукратной полосы частот при M = 10,
 — требуемая величина импеданса,  x = y = 0. Для двукратной полосы частот при M = 10,  = 900 Ом, периоде АР
 = 900 Ом, периоде АР  =
 =  = 0.2
 = 0.2 и нормально падающей плоской волне результаты оптимизации оказались следующими:
 и нормально падающей плоской волне результаты оптимизации оказались следующими:  = 7.89, a = 0.19 , b = 0.2
 = 7.89, a = 0.19 , b = 0.2 ,
,  = 1.247, t = 0.127
 = 1.247, t = 0.127 . При этом импеданс Z брался в точке x = y = 0. Поведение оптимизированной структуры в полосе частот иллюстрирует рис.4. В прямоугольном волноводе учитывались волны:
. При этом импеданс Z брался в точке x = y = 0. Поведение оптимизированной структуры в полосе частот иллюстрирует рис.4. В прямоугольном волноводе учитывались волны:  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  ,
,  .
.

Рис.4 Поведение модуля (кривая 1), действительной части (кривая 2) и мнимой части (кривая 3) поверхностного импеданса оптимизированной структуры «покрытие — решетка прямоугольных волноводов» в полосе частот  .
.
Представляет практический интерес решение задачи определения характеристик излучения и согласования ЛИ, расположенного в плоскости z = t (т.е. на покрытии оптимизированной решетки волноводов). С этой целью была получена и численно решена система операторных уравнений относительно электрического тока  на ЛИ и магнитного тока
 на ЛИ и магнитного тока  в отверстии связи:
 в отверстии связи:
|  | (5) | 
где  — поверхность ЛИ,
 — поверхность ЛИ,  — площадь отверстия связи,
 — площадь отверстия связи,  — поперечный электрический тензор Грина [1], тензор
 — поперечный электрический тензор Грина [1], тензор  — определяется выражением (2), а остальные тензоры равны:
 — определяется выражением (2), а остальные тензоры равны:

причем оператор rot действует на нештрихованные координаты в соответствии с правилами тензорного анализа. Коэффициент  = 0, а
 = 0, а  — определяется из решения граничной задачи для i-той гармоники Флоке в плоскости z = t.
 — определяется из решения граничной задачи для i-той гармоники Флоке в плоскости z = t.
 
 
Рис.5 ДН (a) и модуль коэффициента отражения (b) ЛИ, расположенного в АР над оптимизированной импедансной структурой из прямоугольного волновода и диэлектрического покрытия, в полосе частот (1 — f =  , 2 — f =  1.25
, 2 — f =  1.25 , 3 — f = 1.5
, 3 — f = 1.5 , 4 — f = 1.75
, 4 — f = 1.75 , 5 — f = 2
, 5 — f = 2 ).
).
Для ЛИ длиной l =  = 0.2
 = 0.2 , ориентированного вдоль оси OY, на рис.5а и 5б приведены диаграммы направленности (рис.5а) и модули коэфициентов отражения (рис.5б) в H−плоскости в зависимости от частоты. Излучатели полностью согласованы в направлении нормали к решетке на средней частоте (кривая 3). Используемая оптимизированная импедансная структура поддерживает хорошую работоспособность ЛИ в полосе частот с перекрытием 2:1 и секторе углов ±55°, причем, как видно из рис.6, суммарная активная мощность, прошедшая в прямоугольный волновод, не превышает 0.33 от мощности возбуждения ЛИ.
, ориентированного вдоль оси OY, на рис.5а и 5б приведены диаграммы направленности (рис.5а) и модули коэфициентов отражения (рис.5б) в H−плоскости в зависимости от частоты. Излучатели полностью согласованы в направлении нормали к решетке на средней частоте (кривая 3). Используемая оптимизированная импедансная структура поддерживает хорошую работоспособность ЛИ в полосе частот с перекрытием 2:1 и секторе углов ±55°, причем, как видно из рис.6, суммарная активная мощность, прошедшая в прямоугольный волновод, не превышает 0.33 от мощности возбуждения ЛИ.

Рис.6 Отношение активной мощности, прошедшей в прямоугольный докритический волновод ( ) к мощности возбуждения ЛИ (
) к мощности возбуждения ЛИ ( ) в секторе углов в H-плоскости излучателя в полосе частот (1 — f =
) в секторе углов в H-плоскости излучателя в полосе частот (1 — f =  , 2 — f = 1.25
, 2 — f = 1.25 , 3 — f = 1.5
, 3 — f = 1.5 , 4 — f = 1.75
, 4 — f = 1.75 , 5 — f = 2
, 5 — f = 2 ).
).
В заключение можно сделать следующие выводы:
— Построена магнитная тензорная функция Грина уравнений Максвелла для произвольной области единичной ячейки периодической структуры;
— Построена математическая модель ЛИ, находящегося в составе бесконечной АР и размещенного над произвольным числом волноводов (не обязательно прямоугольного сечения) с диэлектрическими вставками и покрытиями;
— Применение решетки запредельных прямоугольных волноводов не позволяет получить вблизи АР большой по модулю величины поверхностного импеданса ни при какой геометрии решетки и волноводов;
— При использовании решетки докритических волноводов, частота среза основной волны которых равна примерно 0.96 , удается получить поверхностный импеданс, обеспечивающий как минимум двукратную полосу частот и сектор ±55° для ЛИ, размещаемых на этой поверхности.
, удается получить поверхностный импеданс, обеспечивающий как минимум двукратную полосу частот и сектор ±55° для ЛИ, размещаемых на этой поверхности.





 
  


